[发明专利]带有凸块电极的半导体器件制造用粘合剂片材及半导体器件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201380025308.5 申请日: 2013-05-21
公开(公告)号: CN104302723A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 松村和行;藤丸浩一;野中敏央 申请(专利权)人: 东丽株式会社
主分类号: C09J7/02 分类号: C09J7/02;C09J11/04;C09J11/06;C09J163/00;C09J179/08;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;马妮楠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 通过在软质膜上形成有碱溶性粘合剂膜的带有凸块电极的半导体器件制造用粘合剂片材,能够在不损伤凸块电极的情况下使凸块电极露出,进而在其后,通过使用碱性水溶液湿蚀刻凸块顶部上的粘合剂,能够制成凸块顶部上不存在粘合剂的状态,从而能够制造倒装芯片封装后连接可靠性优异的半导体器件。
搜索关键词: 带有 电极 半导体器件 制造 粘合剂 方法
【主权项】:
一种带有凸块电极的半导体器件制造用粘合剂片材,其在软质膜上形成有碱溶性粘合剂膜。
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