[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380025030.1 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN104285286A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 伊东一笃;宫本忠芳;小川康行;内田诚一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供能够抑制成品率的降低并且通过简便的工艺制造的半导体装置和半导体装置的制造方法。本发明具有：TFT基板(100A)；氧化物层(15)，该氧化物层(15)包括半导体区域(5)和导体区域(7)，半导体区域的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与栅极电极(3a)重叠；覆盖半导体区域的沟道区域的保护层(8)；和透明电极(9)，该透明电极(9)以在从基板(2)的法线方向看时，与导体区域的至少一部分重叠的方式形成。氧化物层的端部的至少一部分被保护层覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：基板；在所述基板上形成的栅极电极；在所述栅极电极上形成的第一绝缘层；氧化物层，该氧化物层形成在所述第一绝缘层上，包括半导体区域和导体区域，所述半导体区域的至少一部分隔着所述第一绝缘层与所述栅极电极重叠；与所述半导体区域电连接的源极电极和漏极电极；与所述源极电极电连接的源极配线；保护层，该保护层覆盖所述半导体区域的沟道区域，不覆盖所述导体区域的至少一部分，覆盖所述氧化物层的端部的至少一部分；和透明电极，该透明电极以在从所述基板的法线方向看时，与所述导体区域的至少一部分重叠的方式形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
