[发明专利]等离子体蚀刻方法

摘要

本发明提供一种能够形成对多层膜进行蚀刻时使用的掩模的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法为对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻的方法，该方法使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，并使载置台(3)的温度为100℃以上。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，其利用半导体制造装置对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻，该等离子体蚀刻方法的特征在于：所述半导体制造装置包括：形成处理空间的处理容器；载置被处理体的载置台；产生等离子体激发用的能量的能量产生源；和向所述处理容器内供给处理气体的气体供给部，在该等离子体蚀刻方法中，对掺杂有硼的无定形碳使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，生成作为含有硼的化合物的三氯化硼，并生成碳与氯结合而得到的四氯化碳，并且将所述载置台的温度设定为100℃以上，所述等离子体蚀刻方法至少包括开始蚀刻的第一步骤和在该第一步骤之后实施的第二步骤，在所述第一步骤中，使从所述气体供给部供给的所述氧气的供给量为第一供给量，在所述第二步骤中，使从所述气体供给部供给的所述氧气的供给量为比所述第一供给量少的第二供给量，在所述第一步骤中，使所述处理容器内的压力为第一压力，在所述第二步骤中，使所述处理容器内的压力为比所述第一压力高的第二压力。