[发明专利]大直径高品质的SiC单晶、方法和设备有效
| 申请号： | 201380020815.X | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104246023B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | I·茨维巴克;T·E·安德森;A·E·索兹;G·E·鲁兰德;A·K·古普塔;V·雷加拉詹;P·吴;X·徐 | 申请（专利权）人： | 贰陆股份公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李颖;林柏楠 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于形成适于生产直径为100、125、150和200mm的高晶体品质SiC基底的大直径SiC单晶的方法和系统。SiC单晶通过接种升华技术在浅径向温度梯度的存在下生长。在SiC升华生长期间，过滤掉碳颗粒的带有SiC的蒸气通量通过置于晶种与带有SiC的蒸气源之间的分隔板基本限制于晶种表面的中心面积。分隔板包括被第二基本蒸气不可透部件围绕的第一基本蒸气可透部件。长成的晶体具有平或微凸的生长界面。由长成的晶体制造的大直径SiC晶片显示出低晶格曲率和低密度的晶体缺陷如堆垛层错、夹杂、微管和位错。 | ||
| 搜索关键词： | 直径 品质 sic 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.制造SiC单晶的方法，其包括：(a)在温度梯度的存在下在晶种表面上升华生长SiC单晶；和(b)在步骤(a)期间，控制所述温度梯度使得SiC单晶中的径向温度梯度为正且浅的，并通过借助置于晶种与带有SiC的蒸气的源之间的分隔板使带有SiC的蒸气的通量限制于晶种表面的中心面积而控制所述通量，其中分隔板包括通量可透外部件，其围绕通量可透内部件，该通量可透内部件由多孔石墨制成且比通量可透外部件更可透过带有SiC的蒸气的通量，其中晶种表面的中心面积为围绕晶种中心的晶种总表面积的30‑60％，其中带有SiC的蒸气通过1cm2分隔板内部件面积的质量传输相对于带有SiC的蒸气通过1cm2分隔板外部件面积的质量传输的比例不小于50/1。
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