[发明专利]金属‑半导体‑金属(MSM)异质结二极管有效
| 申请号： | 201380020316.0 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN104272464B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | R·哈辛;Y·陈;Y·罗 | 申请（专利权）人： | 卡内基·梅隆大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)11400 | 代理人： | 邬玥,葛强 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个方面，二极管包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体层，半导体层具有介于第一侧和第二侧之间的厚度，且半导体层的厚度基于射入到半导体层的电荷载子的平均自由程；第一金属层沉积在半导体层的第一侧；并且第二金属层沉积在半导体层的第二侧。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 半导体 msm 异质结 二极管 | ||
【主权项】：
一种二极管，包括：具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的半导体层，所述半导体层具有介于所述第一侧和所述第二侧之间的厚度，且所述半导体层的厚度基于射入到所述半导体层的电荷载子的平均自由程；沉积在所述半导体层的第一侧上的第一金属层；和沉积在所述半导体层的第二侧上的第二金属层；第一异质结，所述第一异质结位于所述第一金属层和第二金属层中的一个金属层与所述半导体层之间，其中所述半导体层、第一金属层和第二金属层配置成实现从所述第一金属层经由所述半导体层到所述第二金属层的近弹道载子输运。
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