[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法以及由该方法制造的碳化硅半导体装置

摘要

一种碳化硅半导体装置的制造方法，具有工序(A)，准备第一导电型的碳化硅基板(1)；工序(B)，在上述第一导电型的碳化硅基板(1)的一个主面上形成第一导电型的外延层(2)；工序(C)，在上述第一导电型的碳化硅基板(1)的另一个主面上形成第一金属层；工序(D)，在上述工序(C)之后，对上述碳化硅基板进行热处理，在上述第一金属层与上述碳化硅基板的另一主面之间形成欧姆结，在上述第一金属层上形成与其他金属贴紧度良好的物质(10)的层；工序(E)，在上述工序(D)之后，将另一主面上的第一金属层(8)表面的杂质除去并进行清洗，在1100℃以上的温度下进行上述工序(D)的热处理。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，具有：工序A，准备第一导电型的碳化硅基板；工序B，在上述碳化硅基板的一个主面上形成第一导电型的外延层；工序C，在上述碳化硅基板的另一个主面上形成由镍与第IV族、第V族和第VI族的金属中的任意一者以上构成的第一金属层；工序D，在上述工序C之后，对上述碳化硅基板进行热处理，在上述第一金属层与上述碳化硅基板的另一主面之间形成欧姆结，在上述第一金属层上形成与其他金属贴紧度良好的物质的层，该物质的层是具有与第IV族、第V族和第VI族的金属的任意一者的键合的碳原子的比率为20％以上且50％以下的物质的层；以及工序E，在上述工序D之后，将上述碳化硅基板的另一主面上的第一金属层表面的杂质除去并进行清洗，在1100℃以上且1350℃以下的温度下进行上述工序D的热处理，上述工序D的热处理的保持时间为1秒以上且1小时以下。