[发明专利]导电纳米线膜有效

专利信息
申请号: 201380015984.4 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN104508758B 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 吉尔·马尔科维奇;丹尼尔·阿祖莱;达吉雅娜·列维-拜伦科瓦;哈吉特·吉隆;费尔南多·德拉维加;阿亚拉·喀布拉 申请(专利权)人: 雷蒙特亚特特拉维夫大学有限公司;P.V.纳米电池有限公司
主分类号: H01B1/22 分类号: H01B1/22;H01B5/14;H01L31/0224;B32B15/02;C23C18/44;B05D5/12;G02F1/1343;C01G5/00;C01G7/00;B82Y40/00
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人: 刘粉宝
地址: 以色列*** 国省代码: 以色列;IL
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摘要: 发明提供一种新颖的导电膜和多层导电结构,其包含成簇布置并且具有至少100,000的平均纵横比,任选地由金属纳米粒子装饰的多个金属纳米线。本发明还公开了一种通过表面活性剂/模板辅助的方法制备包括金属纳米线的导电膜的方法,该方法涉及使用基于表面活性剂(例如CTAB)、金属前体(例如HAuCl4和AgNO3)和金属还原剂(例如金属硼氢化物或抗坏血酸钠)的前体溶液。
搜索关键词: 导电 纳米
【主权项】:
1.一种包含至少一个导电层和至少一个保护膜的导电膜,所述导电膜包含导电金属纳米线的布置,每个所述纳米线具有至少100,000的纵横比,其中70%或80%或90%或95%或99%的所述纳米线在一个或多个簇中布置,每个簇包括两个或两个以上沿同一轴彼此平行定向的纳米线,其中所述簇内的线间间距是约几纳米。
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