[发明专利]与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法有效
申请号: | 201380014923.6 | 申请日: | 2013-01-18 |
公开(公告)号: | CN104254789B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 苏普瑞亚·杰斯瓦尔 | 申请(专利权)人: | 苏普瑞亚·杰斯瓦尔 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 宋静娴 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 描述了用于在紫外(UV)、超紫外(EUV)、和/或软X射线波长上工作的设备和系统中的纳米结构的光子学材料及相关联的组件。此类材料可用针对所选波长范围(诸如在特定UV、EUV、或软X射线波长或波长范围上)设计的纳米尺度特征来制造。此类材料可被用于制作诸如反射镜、透镜或其他光学器件、面板、光源、掩模、光刻胶之类的组件、或者用在诸如光刻、晶片图案化、生物医疗应用之类的应用或其他应用中的其他组件。 | ||
搜索关键词: | 光刻 其他 应用 中的 紫外 辐射 联用 材料 组件 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种配置成在曝光系统中使用的元件,其中所述元件与0.1nm和250nm之间的一个或多个期望的波长交互,所述元件包括涂层:其中,所述涂层包括两个或更多个层的叠层,其中,至少两个层中的每一个都包括多个纳米结构特征,所述多个纳米结构特征中的每一个具有介于250nm和0.01nm之间的尺寸范围;其中,在每一个层中的所述多个纳米结构特征配置成:A)将所述元件对期望的波长的反射率改善至大于70%,或B)将所述元件对期望的波长的透射率改善至大于4%,或C)控制对期望的波长的电磁辐射吸收,其中所述多个纳米结构特征配置为减少或增加所述体电磁吸收。
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