[发明专利]“绝缘体上硅”(SOI)型衬底的活性硅层的薄化方法有效
| 申请号： | 201380013727.7 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104160475A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | F·博迪特;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;李栋修 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种使衬底的活性硅层(2)薄化的方法，所述衬底包括在活性层(2)和支持物(3)之间的绝缘层(4)，所述方法包括一个通过牺牲性热氧化形成牺牲氧化物层(20)并对所述层(20)进行去氧化从而对活性层(2)进行牺牲性薄化的步骤。所述方法值得注意的是其包括：使用氧化性等离子体在所述活性层(2)上形成互补氧化物层(5)的步骤，所述层(5)的厚度轮廓与氧化物层(20)的厚度轮廓互补，从而使得所述层(5)和所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度之和在所处理的衬底的表面上是恒定的；和对该层(5)进行去氧化的步骤，以使活性层(2)以均匀的厚度薄化。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 soi 衬底 活性 方法 | ||
【主权项】：
使“绝缘体上硅”(SOI)衬底(1)的活性硅层(2)薄化的方法，所述衬底旨在应用于电子学、光学和/或光电子学领域，并且包括隐埋在所述活性硅层(2)和支持物(3)之间的绝缘层(4)，所述方法包括至少一个下述步骤：通过利用牺牲性热氧化形成牺牲硅氧化物层(20)并对该层(20)进行去氧化，从而对所述活性硅层(2)进行牺牲性薄化，其特征在于，所述方法还包括：‑使用氧化性等离子体在所述活性硅层(2)上形成被称作“互补”氧化物层的氧化物层(5)的步骤，该互补氧化物层(5)的厚度轮廓与所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度轮廓互补或基本互补，从而使得所述互补氧化物层(5)和所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度之和在所处理的衬底(1)的整个表面上是恒定的或基本恒定的，‑对该互补氧化物层(5)进行去氧化的步骤，从而在所有这些步骤结束后使所述活性硅层(2)以均匀的厚度薄化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司，未经索泰克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380013727.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
