[发明专利]单层电容性成像传感器有效

专利信息
申请号: 201380013665.X 申请日: 2013-01-11
公开(公告)号: CN104169850B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: M.布利亚;D.索尔文;J.K.雷诺;D.霍赫;T.S.达塔洛 申请(专利权)人: 辛纳普蒂克斯公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 俞华梁,陈岚
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的实施例一般提供一种输入装置,其包括多个按照期望的方式互连以获得输入对象位置信息的感测元件,使得所获得的位置信息能够被其他系统组件用来控制显示器或其他有用的系统组件。本文描述的实施例的一个或多个使用本文公开的一个或多个技术和传感器电极阵列配置来减少或最小化感测在输入装置的感测区内的输入对象的位置所需的迹线和/或电极的数量。
搜索关键词: 单层 电容 成像 传感器
【主权项】:
一种电容性图像传感器,其包括:第一单个列内的第一集合传感器电极,所述第一集合传感器电极包括第一传感器电极、第二传感器电极和第三传感器电极,并且所述第一传感器电极经由迹线电耦合到所述第三传感器电极,其中所述迹线布置在两个或更多传感器电极之间;以及,第二单个列内的第二集合传感器电极,所述第二集合传感器电极包括第四传感器电极、第五传感器电极、以及第六传感器电极,其中所述第四传感器电极配置成与所述第一传感器电极电容性耦合,并且所述第五传感器电极配置成与所述第三传感器电极电容性耦合,并且其中所述第四传感器电极、所述第五传感器电极及所述第六传感器电极独立地布线。
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