[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380012494.9 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104170092B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 中嶋经宏 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/76;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。p型薄层(34)沿着从n‑半导体基板(37)的背面到达p型分离层(33)的底部的V字槽(31)的侧壁面设置，将p型集电极层(35)和p型分离层(33)连结。集电极(36)与p型集电极层(35)的表面以及p型薄层(34)的表面相接触。集电极(36)由自n‑半导体基板(37)一侧起依次层叠Al‑Si膜(42)、阻挡层(43)、Ni类金属膜(44)、以及Au类金属膜(45)而成。与p型集电极层(35)表面相接的Al‑Si膜(42)的厚度是1.1μm～3.0μm范围内的厚度。与p型薄层(34)相接的Al‑Si膜(42)的厚度是0.55μm～1.5μm范围内的厚度。由此，能提供一种不会因Al尖锲引起漏电流上升、并能恰当且容易地进行含锡焊接的反向阻止型半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：包围半导体功能区域的第二导电型的分离层，该分离层设置在距第一导电型的半导体基板的一个主面规定深度的位置；从所述半导体基板的另一主面到达所述分离层的底部的V字槽；第二导电型半导体层，该第二导电型半导体层设置在所述半导体基板的另一主面上的由所述V字槽包围的部分；第二导电型半导体薄层，该第二导电型半导体薄层沿着所述V字槽的侧壁设置，并将所述分离层和所述第二导电型半导体层连结；以及金属电极，该金属电极与所述第二导电型半导体层的表面以及所述第二导电型半导体薄层的表面接触，所述规定深度是所述V字槽的底部与所述分离层的底部具有相接触的关系的深度，所述金属电极是通过自所述半导体基板侧起至少层叠含有铝和硅的第一金属膜、以具有焊料润湿性的金属为主要成分的第二金属膜、以及防止该第二金属膜氧化的第三金属膜而成的层叠膜，与所述第二导电型半导体层的表面相接的部分的所述第一金属膜的厚度在1.1μm～3.0μm范围内，与所述第二导电型半导体薄层的表面相接的部分的所述第一金属膜的厚度在0.55μm～1.5μm范围内。
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