[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380012416.9 申请日: 2013-03-11
公开(公告)号: CN104170086B 公开(公告)日: 2018-01-16
发明(设计)人: 饭塚祐二;堀尾真史;仲村秀世 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/11;H02M7/00;H05K1/14
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 金光军,刘灿强
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种提高对冷却体的密合性,并且能够实现生产效率提高的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置是三个功率半导体模块(1)以预定的间隔排列在同一平面内,从功率半导体模块(1)向外部引出的销状导电体(25~27)分别与三片主端子板(2A~2C)连接,从而它们构成一个整体的复合模块。将整个复合模块收纳于保护壳中,进一步配置散热片的情况下,通过利用插入到贯穿孔(29)的螺栓将保护壳和散热片联结,能够使绝缘基板的底面与散热片可靠地密合而收纳在保护壳中。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体模块,具有电路基板和搭载在所述电路基板上的至少一个半导体电路;主端子板,在至少两个所述半导体模块之间,对从所述半导体电路分别向所述半导体模块的外部引出的端子间进行电连接,并且形成有与外部布线连接的连接端子部;保护壳,收纳通过所述主端子板连接所述端子间而使至少两个所述半导体模块一体化的复合模块,并且具有供所述连接端子部插通到所述复合模块的外部的插通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380012416.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top