[发明专利]在等离子体处理系统中同步RF脉冲的方法和装置有效
| 申请号： | 201380010617.5 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN104160789B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 约翰·瓦尔考;哈梅特·辛格;布拉德福德·J·林达克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于提供至少两个同步脉冲RF信号至等离子体处理系统的等离子体处理室的同步脉冲装置，该装置包括用于提供第一RF信号的第一RF发生器。将所述第一RF信号提供至所述等离子体处理室以在其中激发等离子体，所述第一RF信号表示脉冲RF信号。该装置还包括用于提供第二RF信号至所述等离子体处理室的第二RF发生器。所述第二RF发生器具有传感器子系统，其用于检测所述至少一个与所述等离子体处理室相关的反映是向所述第一RF信号施加高脉冲还是施加低脉冲的参数的值，以及脉冲控制子系统，其用于响应于所述检测的所述至少一个参数的所述值对所述第二RF信号施加脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 系统 同步 rf 脉冲 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于提供至少两个同步脉冲RF信号至等离子体处理系统的等离子体处理室的同步脉冲装置，其包括：耦合到阻抗匹配网络的用于提供第一RF信号的第一RF发生器，将所述第一RF信号提供至所述等离子体处理室以在其中激发等离子体，所述第一RF信号表示脉冲RF信号；以及耦合到所述阻抗匹配网络的用于提供第二RF信号至所述等离子体处理室的第二RF发生器，所述第二RF发生器具有传感器子系统，其用于检测与所述等离子体处理室相关的并且反映是向所述第一RF信号施加高脉冲还是施加低脉冲的至少一个参数的值，所述第二RF发生器具有脉冲控制子系统，其用于响应于检测到所述至少一个参数的所述值对所述第二RF信号施加脉冲。
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