[发明专利]CIGS系化合物太阳能电池有效
| 申请号： | 201380010209.X | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104137272A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 寺地诚喜;河村和典;西井洸人;渡边太一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种CIGS化合物太阳能电池，其为了提供具有高转换效率的CIGS系化合物太阳能电池而在基板(1)上依次具备背面电极层(2)、CIGS光吸收层(3)、缓冲层(4)和透明电极层(5)，其中，上述缓冲层(4)由IIa族金属与Zn氧化物的混晶形成，上述混晶的由X射线衍射所显示的特性满足下述式(1)。0.5≤A/(A+B+C)<1···(1)(其中，A、B、C均不为0)A：(002)面的峰强度B：(100)面的峰强度C：(101)面的峰强度。 | ||
| 搜索关键词： | cigs 化合物 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种CIGS系化合物太阳能电池，其特征在于，其在基板上至少依次具备I‑III‑VI族化合物半导体层、缓冲层和透明电极层，上述缓冲层为IIa族金属与Zn氧化物的混晶，上述混晶的由X射线衍射所显示的特性满足下述式(1)，0.5≤A/(A+B+C)<1···(1)其中，A、B、C均不为0，A：(002)面的峰强度，B：(100)面的峰强度，C：(101)面的峰强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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