[发明专利]转移并键合微型器件阵列的方法有效
申请号: | 201380008866.0 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN104115266B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | A·拜布尔;J·A·希金森;胡馨华;H-F·S·劳 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/60;H01L21/762 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明描述了静电转移头阵列组件和将微型器件阵列转移并键合到接收衬底的方法。在一个实施例中,方法包括利用支撑静电转移头阵列的静电转移头组件从承载衬底拾取微型器件阵列,使接收衬底与微型器件阵列接触,从静电转移头组件转移能量以将微型器件阵列键合到接收衬底,以及将微型器件阵列释放到接收衬底上。 | ||
搜索关键词: | 转移 微型 器件 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种用于转移并键合微型器件阵列的方法,包括:利用包括支撑静电转移头部阵列的衬底的静电转移头部组件从承载衬底拾取微型器件阵列,其中每个微型器件具有1‑100μm的最大宽度,所述最大宽度平行于用于拾取所述微型器件阵列的所述静电转移头部阵列的接触表面;使接收衬底上的对应的接收衬底键合层阵列与所述微型器件阵列上的微型器件键合层阵列接触,其中所述接收衬底键合层具有比所述微型器件键合层低的环境液相线温度;从所述静电转移头部组件转移热能以将所述微型器件阵列键合到所述接收衬底;以及将所述微型器件阵列释放到所述接收衬底上;其中支撑所述静电转移头部阵列的所述衬底在从所述承载衬底拾取所述微型器件阵列和使所述接收衬底上的所述对应的接收衬底键合层阵列与所述微型器件阵列上的所述微型器件键合层阵列接触的序列期间保持在所述接收衬底键合层的所述环境液相线温度以上并且在所述微型器件键合层的所述环境液相线温度以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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