[发明专利]固态成像装置及其驱动方法有效
申请号: | 201380008616.7 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN104115271B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 立野善英;山城贵久;余乡幸明 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 韩宏,陈松涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种固态成像装置包括多个像素。将每一像素布置在半导体基板的表层部分处,并且每一像素包括将入射光转换成电荷的光电转换部;存储电荷并且布置在半导体基板中的电荷保持部;与电荷保持部电容耦合并且经由绝缘膜布置在半导体基板上的倍增栅电极;以及电荷阻挡部,所述电荷阻挡部布置在电荷保持部和绝缘膜之间并且杂质浓度高于半导体基板。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括:多个像素,其中,每一像素包括:具有第二导电类型的光电转换部,其布置在具有第一导电类型的半导体基板的表面的表层部分中,并且将入射在所述表面上的光转换为电荷;具有第二导电类型的电荷保持部,其存储所述光电转换部中产生的电荷,并被布置在所述半导体基板中;倍增栅电极,其与所述电荷保持部电容耦合,并经由绝缘膜布置在所述半导体基板上;以及电荷阻挡部,其被布置在所述电荷保持部和所述绝缘膜之间的在所述倍增栅电极和所述电荷保持部电容耦合的位置处,所述电荷阻挡部具有第一导电类型,并且所述电荷阻挡部的杂质浓度高于所述半导体基板的杂质浓度,所述电荷阻挡部使所述电荷保持部保持所述电荷,直到在将电压施加在所述倍增栅电极时所述半导体基板的厚度方向上的电场形成能够进行雪崩倍增的电场,并且在预定电压施加在所述倍增栅电极时所述电荷阻挡部在所述半导体基板的厚度方向上对所述电荷进行雪崩倍增。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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