[发明专利]形成共形金属硅化物膜的方法

摘要

提供了一种用于在衬底上形成金属硅化物层的方法。根据一个实施方案，该方法包括：将衬底设置在处理室中；以第一衬底温度将衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体，其中等离子体暴露以自限性过程在衬底上形成共形的含金属层。该方法还包括：以第二衬底温度将含金属层在不存在等离子体的条件下暴露于还原气体，其中将上述暴露步骤交替地进行至少一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不包含还原气体。该方法提供了在具有高深宽比的深沟槽中形成共形金属硅化物。

主权项

一种在衬底上形成金属硅化物层的方法，包括：a)将所述衬底设置在处理室中；b)在第一衬底温度下将所述衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体，其中等离子体暴露以自限性过程在所述衬底上形成共形的含金属层；以及c)在第二衬底温度下将所述含金属层在不存在等离子体的条件下暴露于还原气体，其中将b)和c)交替地进行至少一次以形成所述金属硅化物层，并且其中所述沉积气体不包含所述还原气体。