[发明专利]高纯度铜铬合金溅射靶有效
| 申请号： | 201380006493.3 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104066869A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 大月富男;福岛笃志 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度铜铬合金溅射靶，其含有0.1～10重量％的Cr，其余为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，在该靶表面中，对随机选择的5处100μm见方范围的Cr析出粒子数进行计数，计数的Cr析出粒子最多的部位与最少的部位的计数之差小于40个。其中，此时的Cr析出粒子是指Cr含量为70％以上、且粒子的大小为1～20μm的粒子。可见，通过在铜中添加适当量的Cr元素、并且使溅射靶的面内的Cr量的偏差减少，能够形成均匀性(均一性)优良的薄膜。特别是提供对于提高微细化、高集成化发展的半导体制品的成品率、可靠性有用的高纯度铜铬合金溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种高纯度铜铬合金溅射靶，其含有0.1～10重量％的Cr，其余为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，在该靶表面中，对随机选择的5处100μm见方范围的Cr析出粒子数进行计数，计数的Cr析出粒子最多的部位与最少的部位的计数之差小于40个，其中，此时的Cr析出粒子是指Cr含量为70％以上、且粒子的大小为1～20μm的粒子。
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