[发明专利]利用简化的共蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS 薄膜的方法及利用该方法制造的用于太阳能电池的CIGS 薄膜有效
| 申请号： | 201380004292.X | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103999243B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 郭智惠;尹载浩;安世镇;尹庆勋;申基植;丁国荣;安承奎;赵阿拉;朴海森;崔森武 | 申请（专利权）人： | 韩国ENERGY技术硏究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种利用简化的共蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法及利用该方法制造的用于太阳能电池的CIGS薄膜。根据本发明的制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法包括如下步骤：(a步骤)通过共蒸发在500至600℃的衬底上沉积Cu、Ga和Se；(b步骤)在维持与a步骤相同的衬底温度的同时，通过共蒸发来沉积Cu、Ga、Se和In；和(c步骤)在降低衬底温度的同时，依次通过共蒸发沉积Ga和Se，然后通过真空蒸发单独沉积Se。因此，与三步共蒸发法相比简化了工艺步骤，充分实现通过薄膜内晶体生长和Ga的组成分布获得的带隙分级的益处，从而使得能够提高加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 简化 蒸发 制造 用于 太阳能电池 cigs 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用简化的共真空蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法，所述方法包括如下步骤：(a步骤)通过共真空蒸发在衬底温度为500℃至600℃的衬底上沉积Cu、Ga和Se；(b步骤)在维持与a步骤相同的衬底温度的同时，通过共真空蒸发来沉积Cu、Ga、Se和In；和(c步骤)在降低所述衬底的温度的同时，通过共真空蒸发来沉积Ga和Se，然后通过真空蒸发单独沉积Se，其中，在c步骤中，Ga和Se的共真空蒸发进行10秒至180秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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