[发明专利]光接收元件、半导体外延晶片、检测装置和制造光接收元件的方法

摘要

本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3-12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。

主权项

一种通过使用III‑V族化合物半导体来形成的光接收元件，所述光接收元件包括：InP衬底，所述InP衬底对于具有3μm至12μm的波长的光是透明的；中间层，所述中间层外延生长在所述InP衬底上；缓冲层，所述缓冲层被定位为与所述中间层接触；以及光接收层，所述光接收层外延生长在所述缓冲层上并且包括具有3μm或更大的截止波长的II型多量子阱结构，其中，所述缓冲层外延生长在所述中间层上，且|a₁‑a₀|/a₀的值在正常晶格匹配条件的范围内，并且|a₂‑a₁|/a₁和|a₂‑a₀|/a₀的值超过正常晶格匹配条件的范围，其中，a₂代表所述缓冲层的晶格常数，a₁代表所述中间层的晶格常数，并且a₀代表所述InP衬底的晶格常数；并且所述缓冲层由GaSb层构成。