[发明专利]氮化硅烧结体及其制造方法无效
| 申请号： | 201380003146.5 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103813997A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 有马峻;松村保范;梶野仁 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张楠;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氮化硅烧结体具有实质上无取向的晶体，热传导系数为100W/mK以上，而且按照JIS R1601测定的常温三点弯曲强度为500MPa以上。该烧结体可以通过具备以下工序的方法来合适地制造：将含有氮化硅粉末的原料粉末在1400～1750℃之间的恒定温度下保持1～100小时的老化工序；从老化工序中的温度以1～100℃/h的升温速度进行升温的升温工序；以及在1800～2000℃之间的恒定温度下烧成30～60小时的烧成工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅烧结体，其特征在于，氮化硅的晶体实质上无取向，热传导系数为100W/mK以上，而且按照JIS R1601测定的常温三点弯曲强度为500MPa以上。
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