[发明专利]适用于调制激光器系统的可变频带间隙调制器有效
| 申请号： | 201380000582.7 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104254951B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 马克·海姆巴赫;尼尔·马格里特 | 申请（专利权）人： | 索尔思光电（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/068;H01S3/0941 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 韩洋;林辉轮 |
| 地址： | 611731 四川省成都市高新区西*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种调制激光器系统通常包括发光区域，配备多个半导电层的调制区域，和分隔发光区域和调制区域的隔离区域，其中至少有一个半导电层包含具有可变能带间隙的量子井层。所述激光器可以是电吸收调制激光器，所述发光区域可包含分布反馈激光器，而所述调制区域可包含电吸收调制器。所述激光器的制造步骤包括：在基板上塑造下半导电缓冲层，在下半导电缓冲层上塑造活性层（包含带能带间隙的可变一个或多个量子井层），在活性层上塑造上半导电缓冲层，在上半导电缓冲层塑造接触层，和塑造隔离发光区域和调制区域的隔离区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导电缓冲层 调制区域 发光区域 塑造 调制激光器 半导电层 隔离区域 量子井层 能带间隙 激光器 活性层 可变 电吸收调制激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 可变频带 调制器 接触层 基板 分隔 隔离 配备 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器,包括：发光区域，调制区域，其具有多个半导电层，其中至少有一个半导电层包含具有可变能带间隙的量子井层，其中，第一边界为调制区域接近隔离区域的一边，第二边界是调制区域对第一边界相反的一边，所述可变能带间隙的量子井层的厚度是沿第一边界到第二边界方向上的厚度梯度，梯度为正，和隔离区域，其分隔所述发光区域和所述调制区域。
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