[实用新型]布儒斯特角铌酸锂Q开关元件有效
| 申请号： | 201320888928.9 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN203643701U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张辉荣;罗辉;姚超;张伟;张志斌 | 申请（专利权）人： | 西南技术物理研究所 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人： | 郭纯武 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开的一种布儒斯特角铌酸锂Q开关元件，包括布儒斯特角铌酸锂晶体。作为铌酸锂Q开关元件的下电极设置在铌酸锂晶体的带布儒斯特角的平行四边形下底的镀铟层上，作为铌酸锂Q开关元件的上电极设置在铌酸锂晶体的带布儒斯特角的平行四边形上底的镀铟层上，环氧酚醛树脂围绕所述布儒斯特角铌酸锂晶体形状包裹封装为一体，形成封装结构，且将与铌酸锂晶体侧面呈布儒斯特角的矩形通光面显露在外。本实用新型采用环氧酚醛树脂封装布儒斯特角铌酸锂晶体，防止了高压漏电和温度变形，使电光开关的关断能力得到了很大的提高，增强了电光开关的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 布儒斯特角 铌酸锂 开关 元件 | ||
【主权项】：
一种布儒斯特角铌酸锂Q开关元件，包括布儒斯特角铌酸锂晶体，其特征在于：作为铌酸锂Q开关元件的下电极设置在铌酸锂晶体的带布儒斯特角的平行四边形下底的镀铟层上，作为铌酸锂Q开关元件的上电极设置在铌酸锂晶体的带布儒斯特角的平行四边形上底的镀铟层上，环氧酚醛树脂围绕所述布儒斯特角铌酸锂晶体形状包裹封装为一体，形成封装结构，且将与铌酸锂晶体侧面呈布儒斯特角的矩形通光面显露在外。
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