[实用新型]一种耐高温电子器件元件有效
| 申请号： | 201320834469.6 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN203631550U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李康;王刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250012 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种耐高温电子器件元件，尤其涉及一种石油测井井下钻具电路中电子器件所使用的元件，该电子器件元件的结构包括衬底层、绝缘埋层、导体层和电极，其中，绝缘埋层设置在衬底层的上表面，导体层设置在绝缘埋层的上表面，电极设置在导体层的上表面，所述衬底层为Si层，所述绝缘埋层为AlN层，所述导体层为SiC层，所述电极为钨极。采用SiCOI（绝缘衬底上的碳化硅）制作的耐高温电子器件元件，可以有效避免漏电流的增加、阻断闩锁效应的发生并且阈值电压在高温下更稳定，适合石油测井井下钻具在高温环境下电子器件元件的选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 电子器件 元件 | ||
【主权项】：
一种耐高温电子器件元件，其特征在于，该电子器件元件的结构包括衬底层、绝缘埋层、导体层和电极；其中，所述绝缘埋层设置在衬底层的上表面，所述导体层设置在绝缘埋层的上表面，所述电极设置在导体层的上表面；所述衬底层为Si层，所述绝缘埋层为AlN层，所述导体层为SiC层，所述电极为钨极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320834469.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
