[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320797452.8 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN203760518U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | J·H·张 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件，可以包括衬底和在衬底上方的PCM存储器单元阵列。每个PCM存储器单元可以包括竖直对准的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的第一电介质层、从第二电极并且朝着第一电极经过第一电介质层竖直延伸的碳纳米管以及在第一电极与至少一个碳纳米管之间的PCM本体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；以及在所述衬底上方的相变材料存储器单元阵列，每个相变材料存储器单元包括：竖直对准的第一电极和第二电极，在所述第一电极与所述第二电极之间的第一电介质层，从所述第二电极并且朝着所述第一电极经过所述第一电介质层竖直延伸的至少一个碳纳米管，以及在所述第一电极与所述至少一个碳纳米管之间的相变材料本体。
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