[实用新型]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端

摘要

本实用新型公开了一种TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端，其结构是发射通道采用一个PIN二极管，接收支路采用两个PIN二极管及一个芯片电容作为开关元件构成串联开关电路，在接收支路后连接两个砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道。接收前端氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上；在氮化铝基板上构成收发开关切换电路，二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片之间以及上述芯片与标准封装引线框对应管脚间用金丝键合连接。设计满足规模生产的标准封装，具有集成度高，成本低，性能优，一致性好，使用便利等优点。

主权项

一种TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端，其特征是发射通道有一个PIN二极管，接收支路有两个PIN二极管及一个芯片电容作为开关元件构成串联开关电路；在接收支路后级连两个砷化镓低噪放芯片，构成整个接收通道；开关、驱动和低噪放一体化的接收前端在QFN6×6‑40L标准封装内，氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片分别粘接在QFN6×6‑40L标准封装引线框中心金属衬底上；在氮化铝基板上分别粘接三个PIN二极管芯片、一个芯片电容构成收发开关切换电路；PIN二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片之间用金丝键合连接，PIN二极管芯片、芯片电容、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片以及砷化镓开关芯片与QFN6×6‑40L标准封装引线框对应管脚间用金丝键合连接。