[实用新型]一种快恢复二极管有效
| 申请号： | 201320677202.0 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203589041U | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;刘钺杨;何延强;刘隽;凌平;包海龙;张宇 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种快恢复二极管，包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层；所述磷离子补偿注入层能够实现P区表面浓度降低，所述快恢复二极管正向导通时注入空穴数量减少；在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本实用新型提供的快恢复二极管，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
一种快恢复二极管，所述快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，其特征在于，所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层。
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