[实用新型]一种用于密集波分复用系统的大张角宽带自准直光探测器有效
申请号: | 201320665733.8 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN203607423U | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 范鑫烨;郭进;冯俊波;藤婕;崔乃迪 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;G02B6/42 |
代理公司: | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人: | 丁瑞瑞 |
地址: | 230001 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供一种用于密集波分复用系统的大张角宽带自准直光探测器,包括衬底(1)、光子晶体(2)、波导(3)、垂直多层介质膜结构(4)与InGaAs PIN光电二极管(5),光子晶体(2)制备在衬底(1)的前端,垂直多层介质膜结构(4)生长在衬底(1)的后端的正面,波导(3)连接衬底(1)前端的光子晶体(2)和后端的垂直多层介质膜结构(4),InGaAs PIN光电二极管(5)键合在垂直多层介质膜结构(4)的上方。本实用新型的优点在于:加入了光子晶体,实现了光信号宽角度入射,同时,多层介质膜构成的多腔结构滤波器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应,提高了通带效果,同时降低了通信成本,更加有利于与有源/无源光器件的集成。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 密集 波分复用 系统 张角 宽带 准直光 探测器 | ||
【主权项】:
一种用于密集波分复用系统的大张角宽带自准直光探测器,其特征在于:包括衬底(1)、光子晶体(2)、波导(3)、垂直多层介质膜结构(4)与InGaAs PIN光电二极管(5),所述光子晶体(2)制备在衬底(1)的前端,所述垂直多层介质膜结构(4)生长在衬底(1)的后端的正面,所述波导(3)连接衬底(1)前端的光子晶体(2)和后端的垂直多层介质膜结构(4),所述InGaAs PIN光电二极管(5)键合在垂直多层介质膜结构(4)的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的