[实用新型]基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件有效
| 申请号： | 201320651445.7 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN203519539U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 胡明;闫文君;曾鹏;马双云;李明达 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件，其特征在于，在p型<100>晶向的单面抛光的单晶硅基片设置有铂叉指电极，铂叉指电极与硅基片的抛光表面的上面设置有三氧化钨气敏性薄膜，该气敏性薄膜厚度为300nm。本实用新型可在室温下探测低浓度（0.1ppm）二氧化氮气体，且具有高灵敏度、快速响应/恢复、选择性好、重复性好的气敏特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化钨 薄膜 室温 气体 传感器 元件 | ||
【主权项】：
一种基于三氧化钨薄膜的室温气体传感器元件，包括单面抛光的硅基片（1）与叉指电极（2），其特征在于，所述硅基片（1）的抛光表面上设置有叉指电极（2），叉指电极（2）与硅基片（1）的抛光表面的上面设置有三氧化钨气敏性薄膜（3）。
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