[实用新型]用于集成电路的静电放电器件及二极管阵列

摘要

本实用新型涉及一种用于集成电路的静电放电器件及二极管阵列。一种用于在保护集成电路免受静电放电时使用的结二极管阵列可以被制作为包括各种尺寸的对称和/或不对称结二极管。二极管可以被配置为经由未封装的接触提供低电压和电流放电或者经由封装的接触提供高电压和电流放电。在制作结二极管阵列时使用倾斜注入允许使用单个硬掩模来注入多个离子种类。另外，可以为每个种类选择不同注入倾斜角度以及其它参数(例如注入能量、注入掩模厚度和掩模开口的尺度)以便精制注入区域的形状。如果希望则可以使用相同注入硬掩模在已经形成的二极管之间插入隔离区域。掩埋氧化物层可以用来防止掺杂物向衬底中扩散超出选择的深度。

主权项

一种用于集成电路的静电放电器件，其特征在于，所述静电放电器件包括： 硅衬底； 在所述硅衬底中形成的第一对称结二极管，所述第一对称结二极管被配置为经由未封装的互连接线提供低电压和电流放电； 在所述硅衬底中形成的第二对称结二极管，所述第二对称结二极管被配置为经由封装的互连接线提供高电压和电流放电；以及 与所述结二极管的电接触。