[实用新型]高压硅堆二极管有效
| 申请号： | 201320574549.2 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN203491256U | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 董志强 | 申请（专利权）人： | 海湾电子（山东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488;H01L23/29;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 朱广存 |
| 地址： | 250000 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种二极管，具体为一种高压硅堆二极管，包括椭圆形的玻璃体，所述的玻璃体的内部设置有晶片，所述的晶片两端通过焊片分别固定有一个钼粒，所述钼粒的一端与晶片相连接，所述钼粒的另一端设置有焊片，所述的焊片固定有引线。本实用新型的高压硅堆二极管，采用多个晶粒串联，反向电压可达到1万伏以上，晶片表面镀铝，在晶片与焊片之间加设有一个钼粒，采用钼粒作为缓冲层，钼粒与晶粒的热膨胀系数接近，在温度突变时可以缓冲因热胀冷缩带来的内应力，确保晶粒不失效，极大的提高了产品的可靠性；同时晶片外面采用玻璃作为钝化层，结温可以到175度。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 二极管 | ||
【主权项】：
一种高压硅堆二极管，包括椭圆形的玻璃体，所述的玻璃体的内部设置有晶片，其特征在于：所述的晶片两端通过焊片分别固定有一个钼粒，所述钼粒的一端与晶片相连接，所述钼粒的另一端设置有焊片，所述的焊片固定有引线。
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