[实用新型]用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构

摘要

本实用新型涉及一种用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构，包括衬底，在衬底上设置多个发光单元，其特征是：所述发光单元之间由刻蚀形成的绝缘带分隔，在发光单元的表面和绝缘带的表面设置SiO2绝缘层；所述发光单元的P型金属电极和N型金属电极的上部裸露出SiO2绝缘层的上表面，发光单元的P型金属电极和相邻发光单元的N型金属电极通过金属导线连接。所述发光单元包括位于衬底表面的外延片，外延片从下至上依次为N型氮化镓层、量子阱和P型氮化镓层，在外延片上设置电流扩展层，在电流扩展层上设置P型金属电极，在外延片的N型氮化镓层上设置N型金属电极。本实用新型可以完好地隔离各个导电物质，工艺实施便利、成本较低、工艺可靠度高、生产良率高。

主权项

一种用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构，包括衬底（4），在衬底（4）上设置多个发光单元，其特征是：所述发光单元之间由刻蚀形成的绝缘带（8）分隔，在发光单元的表面和绝缘带（8）的表面设置SiO2绝缘层（9）；所述发光单元的P型金属电极（6）和N型金属电极（7）的上部裸露出SiO2绝缘层（9）的上表面，发光单元的P型金属电极（6）和相邻发光单元的N型金属电极（7）通过金属导线（10）连接。