[实用新型]一种用于磁场单晶炉的导流筒结构有效

专利信息
申请号: 201320535662.X 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN203653741U 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 任丙彦;黄永恩;张学强;范全东 申请(专利权)人: 宁晋赛美港龙电子材料有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00
代理公司: 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 代理人: 李羡民;周晓萍
地址: 055550 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 一种用于磁场单晶炉的导流筒结构,其技术方案是,所述结构包括保温盖和导流筒本体,导流筒本体为上下通透的筒状结构,特别之处是,导流筒本体侧壁由相互连接的上隔热壁和下隔热壁构成,上隔热壁为等壁厚,下隔热壁由上至下壁厚递增。本实用新型利用递进加厚的导流筒下端,压缩坩埚内熔体上部空间,一方面使导流筒与石英埚、液面间的间距缩小,使热量更多的能维持在熔硅中;另一方面,屏蔽绝大部分赴射到晶棒的热量,由于晶棒生长期间主要以传导散热为主,故增加晶棒与熔体边缘的梯度差值,进而达到改善熔硅液面径向温度梯度的目的。采用本实用新型的有益效果是:有效改善了结晶前沿的径向温度梯度,提高了晶体的电学性能参数及工艺控制成功率。
搜索关键词: 一种 用于 磁场 单晶炉 导流 结构
【主权项】:
一种用于磁场单晶炉的导流筒结构,它包括保温盖(1)和导流筒本体(3),所述导流筒本体为上下通透的筒状结构,其特征在于,所述导流筒本体侧壁由相互连接的上隔热壁(3‑1)和下隔热壁(3‑2)构成,所述上隔热壁为等壁厚,所述下隔热壁由上至下壁厚递增;所述导流筒本体(3)的内壁自上至下直径由大到小递变,导流筒本体内壁的夹角为α为60‑80°,所述下隔热壁的外壁为竖直向下;所述上隔热壁壁厚为4‑8毫米,所述上隔热壁高度H1为60‑100毫米,下隔热壁高度H2为150‑250毫米。
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