[实用新型]一种高压NPN器件有效
| 申请号： | 201320527891.7 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN203415583U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 吴健;谭颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高压NPN器件，包括：半导体衬底，具有第一导电型埋层；基极区，进一步包括第二导电型基极引出区和第二导电型阱；集电极区，进一步包括第一导电型集电极引出区和第一导电型高压阱区；发射极区，进一步包括第一导电型发射极引出区；第二导电型杂质区，设置在所述第一导电型集电极引出区和所述第二导电型基极引出区之间，并延伸至所述第一导电型高压阱区外侧，进一步与所述半导体衬底连接。本实用新型所述高压NPN器件通过设置第二导电型杂质区，且所述第二导电型杂质区延伸至所述第一导电型高压阱区外侧，并进一步与所述半导体衬底连接，故可通过调整所述第二导电型杂质区的宽度，以实现安全工作区的提高，优化所述高压NPN器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 npn 器件 | ||
【主权项】：
一种高压NPN器件，其特征在于，所述高压NPN器件包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电型埋层； 基极区，所述基极区进一步包括设置在所述基极有源区上的第二导电型基极引出区和设置在所述第二导电型基极引出区下侧的第二导电型阱，且所述第二导电型基极引出区之间设置沟槽隔离； 集电极区，所述集电极区进一步包括设置在所述集电极有源区上的第一导电型集电极引出区和设置在所述第一导电型集电极引出区下侧，并与所述第一导电型埋层之上表面接触的第一导电型高压阱区； 发射极区，所述发射极区进一步包括设置在所述发射极有源区上的第一导电型发射极引出区，且所述第一导电型发射极引出区设置在所述基极区上侧，并与所述基极区通过所述沟槽隔离区隔离； 第二导电型杂质区，所述第二导电型杂质区设置在所述第一导电型集电极引出区和所述第二导电型基极引出区之间，并延伸至所述第一导电型高压阱区外侧，进一步与所述半导体衬底连接。
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