[实用新型]一种柔性硅基砷化镓电池有效
| 申请号： | 201320523877.X | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN203481250U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘文峰;成文;姬常晓 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 实用新型属于薄膜太阳能电池领域，涉及一种柔性硅基砷化镓电池，它包括衬底层（1），在衬底层（1）上依次有Ge-Si缓冲层（2）、Ge电池层（3）、隧道结A层（4）、GaAs电池层（5）、隧道结B层（6）、GaInP电池层（7）、窗口层（8）、欧姆接触层（9）和减反射膜层（10），且减反射膜层（10）上设有正面电极（11），衬底层（1）下表面设有背面电极（12）；所述衬底层（1）为厚度≤48微米的柔性硅衬底层；所述柔性硅基砷化镓电池的总厚度≤50微米，单片面积≥80cm2。该电池以柔性的超薄硅作为最终衬底，能获得极大的比功率（>2000W/Kg），大大降低空间电源的发射成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 硅基砷化镓 电池 | ||
【主权项】：
一种柔性硅基砷化镓电池，包括衬底层（1），其特征是，在衬底层（1）上依次有Ge‑Si缓冲层（2）、Ge电池层（3）、隧道结A层（4）、GaAs电池层（5）、隧道结B层（6）、GaInP电池层（7）、窗口层（8）、欧姆接触层（9）和减反射膜层（10），且减反射膜层（10）上设有正面电极（11），衬底层（1）下表面设有背面电极（12）；所述衬底层（1）为厚度≤48微米的柔性硅衬底层；所述柔性硅基砷化镓电池的总厚度≤50微米，单片面积≥80cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
