[实用新型]厚度测量装置有效
| 申请号： | 201320456636.8 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN203351562U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 许亮;唐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种厚度测量装置，用以测量晶圆的厚度，包括激光探测头组，所述激光探测头组设置于所述晶圆的斜上方，所述激光探测头组包括两个以上的激光探测头，所述两个以上的激光探测头分别探测所述晶圆上的不同位置的厚度。由于可以通过两个以上的激光探测头同时探测晶圆上不同位置的厚度，因此，不但可以减少改变晶圆和激光探测头组位置的次数，而且可以减少所需的探测时间，因为晶圆上有的取样点是同时测量的，因而，可以有效提高厚度测量效率，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 厚度 测量 装置 | ||
【主权项】：
一种厚度测量装置，用以测量晶圆的厚度，其特征在于，包括激光探测头组，所述激光探测头组设置于所述晶圆的斜上方，所述激光探测头组包括两个以上的激光探测头，所述两个以上的激光探测头分别探测所述晶圆上的不同位置的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320456636.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：飘动式浮筏海轮杠杆动力机
- 下一篇：紧箍避孕套
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
