[实用新型]改进的大功率半导体模块的注塑封装结构有效

专利信息
申请号: 201320435537.1 申请日: 2013-07-22
公开(公告)号: CN203339138U 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 沈首良 申请(专利权)人: 沈首良
主分类号: H01L23/053 分类号: H01L23/053;H01L23/49;H01L23/488
代理公司: 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 代理人: 李富华
地址: 321400 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了属于半导体器件制造的封装技术范围的一种改进的大功率半导体模块的注塑封装结构。在金属底板上焊接陶瓷绝缘片,在陶瓷绝缘片上面间隔焊接公用电极和二号芯片阳极引出,在公用电极上连接一号半导体芯片和一号芯片阴极过桥,一号芯片阴极引出从一号芯片阴极过桥上引出;二号半导体芯片焊接在二号芯片阳极引出电极上,焊在二号半导体芯片顶面上的阴极过桥与公用电极相连。本实用新型改进了模块塑料外壳封装结构和封装工艺,上注塑机一次注塑成型,并且一次可同时注塑多块,从而使半导体模块厚度减薄到三分之一左右,减轻了模块的重量,提高了模块的密闭性,提高了模块的封装速度,大大提高模块的可靠性和生产效率。
搜索关键词: 改进 大功率 半导体 模块 注塑 封装 结构
【主权项】:
一种改进的大功率半导体模块的注塑封装结构,其特征在于在金属底板上焊接陶瓷绝缘片,在陶瓷绝缘片上面间隔焊接公用电极和二号芯片阳极引出电极,在公用电极上连接一号半导体芯片和一号芯片阴极过桥,一号芯片阴极引出从一号芯片阴极过桥上引出;二号半导体芯片焊接在二号芯片阳极引出电极上,焊在二号半导体芯片顶面上的二号芯片阴极过桥与公用电极相连,所述两个阴极过桥将两个半导体芯片连接在一起,门阴极引出端子经过塑封后固定在模块上,焊接在二号半导体芯片或一号半导体芯片顶面的门极和阴极内部引出线由门阴极引出端子从模块塑料外壳顶面伸出,所述公用电极、一号芯片阴极引出和二号芯片阳极引出均从模块塑料外壳顶面伸出。
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