[实用新型]一种真空封装的超薄MEMS芯片有效
| 申请号： | 201320405107.5 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN203373143U | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 付世 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种真空封装的超薄MEMS芯片，衬底层、结构层、封盖层。所述结构层通过结构锚点与所述衬底层电连接，所述封盖层通过玻璃浆与所述衬底层真空封装一体。本实用新型降低了高真空封装时产生的应力对器件性能影响。通过在结构层做双面加工来制作电连接和传感器结构，由于都是在一层硅材料做物理加工，不会产生过多的应力影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 封装 超薄 mems 芯片 | ||
【主权项】：
一种真空封装的超薄MEMS芯片，其特征在于，包括：衬底层，在所述衬底层的表面设置有走线，在走线的表面设置有多个衬底锚点、用于增加真空封装稳定性的金属框架、使衬底层接地的电连接通孔以及外接引脚；结构层，在结构层的表面刻蚀有凹槽，并设置多个用于与衬底锚点电连接的结构锚点以及用于分解外力、划片对准标记的支撑锚点；以及封盖层，其上刻蚀有封盖凹槽，在所述封盖凹槽内生长有氧化硅材料层，在封盖层的四周设置有图形化的玻璃浆；所述结构层通过结构锚点与所述衬底层电连接，所述封盖层通过玻璃浆与所述衬底层真空封装一体。
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