[实用新型]功率单元级联式高压变频器的旁路电路有效
| 申请号: | 201320393671.X | 申请日: | 2013-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN203352475U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
| 发明(设计)人: | 陈秋泉;徐晓 | 申请(专利权)人: | 北京合康亿盛变频科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M7/537 | 分类号: | H02M7/537;H02M7/5387 |
| 代理公司: | 北京国帆知识产权代理事务所(普通合伙) 11334 | 代理人: | 李增朝 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本实用新型提供一种高可靠性,结构简单,低成本的针对功率单元级联式高压变频器的旁路电路;它包括旁路电路和控制电路,旁路电路采用共发射极双IGBT模块S5,共发射极双IGBT模块S5的两集电极PC1、PC2与功率单元的输出端并联,双IGBT的栅极G1和G2作为共用控制端G1/G2连接在一起(附图中未示出),控制电路与共发射极双IGBT模块的共用控制端G1/G2与共发射极端PE1/PE2连接。功率单元发生故障时,控制电路驱动共发射极双IGBT模块S5使其导通,使功率单元的输出端短路,以维持高压变频器的运行,防止其停机。由于旁路电路使用共发射极双IGBT模块作为旁路器件,不仅可承受很高的dv/dt值,和很短的导通时间,与对双IGBT分别进行驱动的方式相比可省去一组驱动电路。 | ||
| 搜索关键词: | 功率 单元 级联 高压 变频器 旁路 电路 | ||
【主权项】:
一种功率单元级联式高压变频器的旁路装置,包括旁路电路和驱动电路,所述旁路电路包括共发射极双IGBT模块(S5),该共发射极双IGBT模块(S5)由发射极互相连接在一起的两个IGBT(T1、T2)构成,两个集电极(PC1、PC2)分别并联在功率单元的输出端(L1、L2),两个IGBT(T1、T2)的集电极(PC1、PC2)和发射极(PE1、PE2)之间分别反向并联有续流二极管(D1、D2),两个IGBT(T1、T2)的栅极(G1、G2)互相连接在一起形成共用控制端(G1/G2),所述驱动电路的输出端分别与共发射极双IGBT模块(S5)的共用控制端(G1/G2)和发射极端(PE1/PE2)连接,在功率单元故障时,对应的所述驱动电路驱动共发射极双IGBT模块(S5)导通,将故障的功率单元的输出端(L1、L2)短路,以维持高压变频器的运行。
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