[实用新型]分区加热控制装置有效
| 申请号： | 201320381703.4 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN203339123U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 廖宏伟;姚锋翔 | 申请（专利权）人： | 志圣工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种分区加热控制装置，适于设置在一热处理装置上，热处理装置包含一炉体。炉体界定一腔室。腔室形成一循环通道。分区加热控制装置包含：多个加热单元、多个温度侦测器，及多个控制器。所述加热单元分别设置于循环通道内，分别对循环通道内的气体加热，使该循环通道在直立方向上可区分为多个不同温度的通道区。所述温度侦测器分别对应所述加热单元而分别设置于对应的通道区内，用于侦测各该通道区内气体的温度。每一控制单元根据对应的温度侦测器侦测的结果来控制对应的加热单元，以将所述通道区内的气体控制在一均匀温度。 | ||
| 搜索关键词： | 分区 加热 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种分区加热控制装置，适于设置在一热处理装置上，该热处理装置包含一炉体，及一隔板单元，该炉体界定一腔室，该隔板单元设置于该腔室内并使该腔室形成一循环通道；其特征在于：该分区加热控制装置包含多个加热单元、多个温度侦测器，及多个控制器，所述加热单元分别设置于该循环通道内，用于分别对该循环通道内的气体加热，使该循环通道在直立方向上可区分为多个不同温度的通道区；所述温度侦测器分别对应所述加热单元而分别设置于对应的通道区内，用于侦测各该通道区内气体的温度，每一控制器电连接于所对应的加热单元及温度侦测器，各该控制器根据对应的温度侦测器的侦测结果控制对应的加热单元，以将所述通道区内的气体控制在一均匀温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
