[实用新型]一种低电压二极管有效
| 申请号： | 201320372459.5 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN203367292U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 周源 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市朝阳区东直门*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种低电压二极管。该低电压二极管依次包括第一电极层；第一电极层上的硅衬底；硅衬底上第一导电类型的外延层；所述外延层中与第一导电类型相反的第二导电类型的高浓度掺杂区；所述外延层上具有暴露所述掺杂区的开口的绝缘层；位于所述掺杂区和部分绝缘层上的夹层保护层；位于所述夹层保护层上的第二电极层，其特征在于，所述夹层保护层和所述第二电极层具有完全相同的外边界。根据本实用新型制作的低电压二极管，不仅产品合格率得到显著提高，而且由于制作工艺简化，生产效能获得相应提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 二极管 | ||
【主权项】：
一种低电压二极管，依次包括 第一电极层； 第一电极层上的硅衬底； 硅衬底上第一导电类型的外延层； 所述外延层中与第一导电类型相反的第二导电类型的高浓度掺杂区； 所述外延层上具有暴露所述掺杂区的开口的绝缘层； 位于所述掺杂区和部分绝缘层上的夹层保护层； 位于所述夹层保护层上的第二电极层， 其特征在于， 所述夹层保护层和所述第二电极层具有完全相同的外边界。
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