[实用新型]一种发光二极管的外延片结构有效
| 申请号： | 201320358931.X | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN203406316U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 牛志宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市德颖光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/44 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 523330 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体发光技术领域，具体地说，涉及一种发光二极管的外延片结构。本实用新型包括金刚石衬底层，所述金刚石衬底层上方从下至上依次成型有GaN缓冲层、下GaN接触层、发光层、上GaN接触层以及透明导电层。本实用新型采用金刚石衬底层，可以避免GaN生长的晶体缺陷，另外还设计了透明导电层，可以增加发光层的透光率，增大发光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片结构，其特征在于：包括金刚石衬底层，所述金刚石衬底层上方从下至上依次成型有GaN缓冲层、下GaN接触层、发光层、上GaN接触层以及透明导电层。
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