[实用新型]生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜有效
| 申请号： | 201320326378.1 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN203288608U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李国强;高芳亮;吴平平;李景灵;管云芳 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In0.3Ga0.7As外延薄膜；InGaAs梯度缓冲层包括由下至上依次排列的In0.08～0.10Ga0.90～0.92As缓冲层、In0.17～0.19Ga0.81～0.83As缓冲层、In0.26～0.28Ga0.72～0.74As缓冲层和In0.32～0.34Ga0.66～0.68As缓冲层。本实用新型的生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜的梯度缓冲层结构合理优化、经济、高效、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高，便于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 gaas 衬底 ingaas 薄膜 | ||
【主权项】：
生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，其特征在于，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In0.3Ga0.7As外延薄膜；所述InGaAs梯度缓冲层包括由下至上依次排列的In0.08～0.10Ga0.90～0.92As缓冲层、In0.17～0.19Ga0.81～0.83As缓冲层、In0.26～0.28Ga0.72～0.74As缓冲层和In0.32～0.34Ga0.66～0.68As缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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