[实用新型]多晶硅制备装置

摘要

本实用新型涉及一种多晶硅制备装置。多晶硅制备装置包括缓冲腔，还包括装卸平台、清洗腔、至少一沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔；上述的装卸平台、清洗腔、沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔分别置于缓冲腔的周围，且均与该缓冲腔连接；所述缓冲腔内设置有一机械手臂，该机械手臂包括一定位杆、U型插片和至少一连杆；所述定位杆的一端可旋转的设置于所述缓冲腔内，所述U型插片通过所述至少一连杆与所述定位杆的另一端可旋转的连接。本实用新型通过将原本外置的沉积腔与多晶硅制备装置集成在一起，能够节省工艺步骤和占地空间。

主权项

一种多晶硅制备装置，所述多晶硅制备装置包括一缓冲腔，其特征在于，该装置还包括至少一个沉积腔；所述沉积腔与所述缓冲腔连通。