[实用新型]一种氮化镓图形衬底有效
| 申请号： | 201320298527.8 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN203300686U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 傅华;吴思;蔡金;王辉;王怀兵 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种氮化镓图形衬底，包括采用气相外延生长技术，在气相外延生长反应室里进行热处理及降温处理的衬底底层，所述衬底底层上方依次生长有结晶氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、N型氮化镓层，所述N型氮化镓层表面设有凹凸的图形。本实用新型的刻蚀图形在NGaN结构上，避免了晶格失配现象，降低外延层中的位错密度等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 图形 衬底 | ||
【主权项】：
一种氮化镓图形衬底，包括采用气相外延生长技术，在气相外延生长反应室里进行热处理及降温处理的衬底底层，其特征在于：所述衬底底层上方依次生长有结晶氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、N型氮化镓层，所述N型氮化镓层表面设有凹凸的图形。
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