[实用新型]一种集成磁传感器有效
| 申请号： | 201320292219.4 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN203274761U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 吴翔昊;彭绪山;熊红斌 | 申请（专利权）人： | 吴翔昊 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315175 浙江省宁波市鄞州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种集成磁传感器，包括衬底、铂电极、各向异性磁电阻传感层、金电极、霍尔传感层，其中，铂电极生长在衬底上，各向异性磁电阻传感层生长在铂电极上，金电极生长在各向异性磁电阻传感层上，霍尔传感层生长在金电极上。本实用新型将电极、各向异性磁电阻传感层、霍尔传感层交替排列，增加了电子在界面处的全反射，提高传感器的灵敏度。此外，本实用新型保证了传感器结构简单、低成本制造的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 传感器 | ||
【主权项】：
一种集成磁传感器，包括衬底、铂电极、各向异性磁电阻传感层、金电极、霍尔传感层，其特征在于：所述的铂电极生长在衬底上，各向异性磁电阻传感层生长在铂电极上，金电极生长在各向异性磁电阻传感层上，霍尔传感层生长在金电极上。
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