[实用新型]一种集成磁传感器有效
申请号: | 201320292219.4 | 申请日: | 2013-05-13 |
公开(公告)号: | CN203274761U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 吴翔昊;彭绪山;熊红斌 | 申请(专利权)人: | 吴翔昊 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315175 浙江省宁波市鄞州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种集成磁传感器,包括衬底、铂电极、各向异性磁电阻传感层、金电极、霍尔传感层,其中,铂电极生长在衬底上,各向异性磁电阻传感层生长在铂电极上,金电极生长在各向异性磁电阻传感层上,霍尔传感层生长在金电极上。本实用新型将电极、各向异性磁电阻传感层、霍尔传感层交替排列,增加了电子在界面处的全反射,提高传感器的灵敏度。此外,本实用新型保证了传感器结构简单、低成本制造的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 传感器 | ||
【主权项】:
一种集成磁传感器,包括衬底、铂电极、各向异性磁电阻传感层、金电极、霍尔传感层,其特征在于:所述的铂电极生长在衬底上,各向异性磁电阻传感层生长在铂电极上,金电极生长在各向异性磁电阻传感层上,霍尔传感层生长在金电极上。
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