[实用新型]一种气体反应器内压强控制装置有效
申请号: | 201320238584.7 | 申请日: | 2013-05-06 |
公开(公告)号: | CN203238325U | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 袁方园 | 申请(专利权)人: | 袁方园 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C16/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 262700 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型涉及薄膜制备设备领域,具体地来说为用于制备薄膜的气体反应器内压强控制装置。包括处理器、输入按键、流量传感器、流量控制器以及与流量控制器连接的进气阀门,其中流量传感器与处理器的输入端连接,流量控制器与处理器的输出端连接,处理器的输入端还连接有输入按键。具有结构简单,操控性强,全自动调节等优点。适用于各种物理、化学气相沉积以及磁控溅射等设备中。 | ||
搜索关键词: | 一种 气体 反应器 压强 控制 装置 | ||
【主权项】:
一种气体反应器内压强控制装置,其特征在于,包括处理器、输入按键、流量传感器、流量控制器以及与流量控制器连接的进气阀门,其中流量传感器与处理器的输入端连接,流量控制器与处理器的输出端连接,处理器的输入端还连接有输入按键。
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