[实用新型]一种晶体生长冷却装置有效

专利信息
申请号: 201320196216.0 申请日: 2013-04-17
公开(公告)号: CN203200370U 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 徐永亮;姜树炎 申请(专利权)人: 浙江昀丰新能源科技有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 321037 浙江省金*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种晶体生长冷却装置,该装置的调压通路包括并联的第一支路和第二支路,第一支路包括依次连接的第一气瓶、第一气体减压阀、第一手动换向阀及第一单向阀,第二支路包括依次连接的第二气瓶、第二气体减压阀、第二手动换向阀及第二单向阀,第一单向阀与第二单向阀汇合于第一节点,装置的高压充气通路通过第一节点与调压通路连接。该装置通过在调压通路设置并联的两个支路,每个支路均具有一个气瓶,当第一气瓶中的气体不足时,能够打开第二支路,使第二支路的第二气瓶向装置供气,然后关断第一支路,更换第一气瓶,从而实现了在持续向装置供气的前提下,更换气瓶的功能,保证了长晶适宜的温场梯度,提高了晶体质量。
搜索关键词: 一种 晶体生长 冷却 装置
【主权项】:
一种晶体生长冷却装置,其特征在于,所述晶体生长冷却装置的调压通路包括并联的第一支路和第二支路;所述第一支路包括依次连接的第一气瓶、第一气体减压阀、第一手动换向阀及第一单向阀;所述第二支路包括依次连接的第二气瓶、第二气体减压阀、第二手动换向阀及第二单向阀,所述第一单向阀与所述第二单向阀汇合于第一节点,所述晶体生长冷却装置的高压充气通路通过所述第一节点与所述调压通路连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江昀丰新能源科技有限公司,未经浙江昀丰新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320196216.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top