[实用新型]一种化合物半导体的金属化结构有效
| 申请号： | 201320191460.8 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN203218272U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 史梦然;赵建忠;曹雪峰;孙浩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 齐洁茹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种化合物半导体的金属化结构，包括：化合物半导体衬底，以及衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成金属化层状结构；其中，各层金属薄膜的厚度均小于1μm，且各层金属薄膜的总厚度小于2μm；第一层金属薄膜的材料为与化合物半导体衬底材料的共晶点在150～450℃范围内的金属材料；第二层金属薄膜的材料为激活能在150～500kJ/mol范围内的金属材料；第三层金属薄膜的材料为与第二层金属薄膜材料和电极层金属薄膜材料在硬度和弹性模量两个力学参数上相匹配的金属材料。本实用新型实现了化合物半导体器件的金属化结构既具备良好电学特性，又具备稳定的力学结合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 金属化 结构 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体的金属化结构，其特征在于，包括：化合物半导体衬底，以及自化合物半导体衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成化合物半导体的金属化层状结构；其中，各层金属薄膜的厚度均小于1μm，各层金属薄膜的总厚度小于2μm，且所述第三层金属薄膜的厚度大于所述第二层金属薄膜和所述电极层金属薄膜的厚度；所述第一层金属薄膜的材料为与化合物半导体衬底材料的共晶点在150℃～450℃范围内的金属材料；所述第二层金属薄膜的材料为激活能在150kJ/mol～500kJ/mol范围内的金属材料；所述第三层金属薄膜的材料为与第二层金属薄膜材料和电极层金属薄膜材料在硬度和弹性模量两个力学参数上相匹配的金属材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十一研究所，未经中国电子科技集团公司第十一研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320191460.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
