[实用新型]一种抗PID光伏组件有效
| 申请号： | 201320132923.3 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN203205440U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 桑燕;周光大;倪丹卿;林建华 | 申请（专利权）人： | 苏州福斯特光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;冷红梅 |
| 地址： | 215500 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种抗PID光伏组件，所述光伏组件由外向内依次由钢化玻璃层、乙烯基烯烃共聚物膜、电池片层、EVA胶膜和背板复合而成；所述乙烯基烯烃共聚物膜厚度为0.15～0.6mm，所述电池片层由多个单晶硅或多晶硅电池片串联而成，电池片厚度为140μm～200μm，所述EVA胶膜厚度为0.3～0.7mm。本实用新型的有益效果主要体现在：使用常规晶硅电池片的光伏组件采用本实用新型的结构，组件具有抗PID性能，组件在电站高电压作用下，光电转换效率不会持续衰减，保证了整个光伏电站的功率正常输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pid 组件 | ||
【主权项】：
一种抗PID光伏组件，其特征在于所述光伏组件由外向内依次为钢化玻璃层、乙烯基烯烃共聚物膜、电池片层、EVA胶膜和背板复合而成；所述乙烯基烯烃共聚物膜厚度为0.15～0.6mm，所述电池片层由多个单晶硅或多晶硅电池片串联而成，电池片厚度为140μm～200μm，所述EVA胶膜厚度为0.3～0.7mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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